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SPD50N03S2L-06 G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：Digi-Reel®

SPD50N03S2L-06 G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPD50N03S2L-06 G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：PG-TO252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

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SPD50N03S2L-06 G 深圳市金嘉銳電子有限公司 0755-22929859
SPD50N03S2L-06 G 深圳市華創歐科技有限公司 0755-23945755
SPD50N03S2L-06 G 艾睿（深圳）半導體有限公司 15813737183
SPD50N03S2L-06 G 深圳市諾洋電子科技有限公司 0755-83223003
SPD50N03S2L-06 G 深圳誠思涵科技有限公司 0755-83015506
SPD50N03S2L-06 G 深圳市華斯頓電子科技有限公司 0755-83777708
SPD50N03S2L-06 G 深圳市易信優科技有限公司 0755-23914006
SPD50N03S2L-06 G 北京元坤國際科技有限公司 010-62104931、
SPD50N03S2L-06 G 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
SPD50N03S2L-06 G 深圳市凱睿晟科技有限公司 075582795079
SPD50N03S2L-06 G 上海金慶電子科技京城市場部 021-51872165/
SPD50N03S2L-06 G 北京首天偉業科技有限公司 010-62104931、
SPD50N03S2L-06 G 上海熠富電子科技有限公司 15026993318 /
SPD50N03S2L-06 G 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
SPD50N03S2L-06 G 上海熠富電子科技有限公司 15821228847 /
SPD50N03S2L-06 G 深圳市晨豪科技有限公司 0755-82732291

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SPD50N03S2L-06 G 全國供應商、價格、PDF資料

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